Elektronik- und Halbleitermodulprüfung E-LIT
Modularer automatisierter Prüfstand
2D- und 3D-Analyse von Elektronik- und Halbleiterbauelementen
Modularer Messplatz mit radiometrisch kalibrierter Thermografiekamera für exakte Lock-In-Messungen
Hochempfindliche Temperaturmessung und Erkennung von thermischen Auffälligkeiten im mK- und μK-Bereich
Lokalisierung von Punkt- und Linienkurzschlüssen, Oxidations-Defekten sowie Transistor- und Diodenfehlern in mehrlagigen Leiterplatten und Multi-Chip-Modulen
Erkennung von „Wasserzeichen“ und thermischen Signaturen zur Prüfung der Echtheit · von Mikrochips
Ausgelegt für die Nutzung von Thermografiesystemen mit gekühlten und ungekühlten Detektoren
Auflösungen von bis zu (2.560 × 2.048) IR-Pixeln nativ und ein Vielfaches davon durch Stitching
Höchste Flexibilität dank Objektivrevolver
Thermografiesoftware IRBIS® 3 active mit umfangreichen Analysemöglichkeiten
Lock-In-Testmessung in Echtzeit mit E-LIT von InfraTec
E-LIT – Lock-In-Thermografie für die Elektronik – ist ein automatisiertes Prüfsystem innerhalb der zerstörungsfreien Prüfung. Es erlaubt eine berührungslose Fehlerinspektion an sowie die Kontrolle der Echtheit von Halbleitermaterialien, elektronischen Bauteilen und elektronischen Schaltungen. Ungleichmäßige Temperaturverteilungen und lokale Energieverluste können mittels des Lock-In-Verfahrens und einer leistungsfähigen, radiometrisch kalibrierten Thermografiekamera detektiert werden.
Die für die gezielte Energieversorgung des untersuchten Bauteils eingesetzten Source Measure Units (SMUs, auch SourceMeter) können direkt über das E-LIT-System parametriert werden. Sogar Fehler, die lediglich mK- oder μK-Abweichungen hervorrufen, lassen sich detektieren.
Kleinste Defekte in Bauelementen und Baugruppen wie z. B. integrierten Schaltkreisen können exakt lokalisiert und dargestellt werden. Dazu zählen:
Punkt- und Linienkurzschlüsse,
Oxidations-, Transistor- und Diodenfehler,
Widerstandsunterbrechungen (resistive opens),
Leckströme,
ESD-Defekte und
Latch-up-Effekte.
Durch eine Veränderung der Lock-In-Frequenz lassen sich Fehler in Stacked-Die-Packages oder Multi-Chip-Modulen (3D-Packaging, Advanced Packaging) auch räumlich zuordnen (Tiefenmessung). In Verbindung mit einer algorithmusgestützten Mustererkennung können zudem z. B. Manipulationen an den Schaltkreisen detektiert werden.
Die leistungsstarke Lock-In-Thermografie-Software verwendet für diese und ähnliche Aufgaben Algorithmen und Routinen aus den neuesten wissenschaftlichen Veröffentlichungen.
Zur Auflösung kleinster geometrischer Strukturen nutzt der E-LIT-Prüfstand Hochleistungs-Mikroskopobjektive und SIL-Linsen. Beim Einsatz hochauflösender Detektoren mit bis zu (2.560 x 2.048) IR-Pixeln können selbst Mikrodefekte erkannt und charakterisiert werden.
Der automatisierte E-LIT-Prüfstand ist interessant für Entwickler und Hersteller von
Mikrochips, PCBs, elektronischen Baugruppen,
Servern,
Leistungs-Halbleitern,
Solarzellen und PV-Modulen,
Hochfrequenzbauelementen und
Opto-elektronischen Bauelementen.
Prüfung von Elektronik- und Halbleitermodulen mittels Lock-In-Thermografie
Erfahren Sie in unserem Whitepaper, wie Sie mittels Lock-In-Thermografie Fehlern in Elektronik- und Halbleiterbauteilen auf die Spur kommen. Profitieren Sie von unseren Praxistipps und erzielen Sie bestmögliche Messergebnisse mit dem E-LIT-Prüfstand von InfraTec.
Vorteile des modularen Prüfstandes
Messung mit einem Messplatz: Fehleranalyse an Schaltkreisen – von der Platine (PCB) bis ins kleinste Detail
Kundenspezifischer, modularer Messplatz, z. B. mit X-Y Tisch und manuell oder motorisch einstellbarer Z-Achse, zur exakten Positionierung und zur individuellen Einstellung der Arbeitsabstände, abhängig von der Messobjektgröße des Prüflings, z. B. Chips, Module, Wafer und Wafer-Proben, Leiterplattenbaugruppen, aber auch Solarzellen, Mikromechanik, Dünnschichtelektronik, Hybrid- und Hochfrequenz-Schaltungen
Flexibilität durch variable Komponenten, z. B. verschiedene Optiken, Aufnahmeeinrichtungen für den Prüfling oder Kontaktierungsmöglichkeiten – noch mehr Freiheiten durch den Einsatz eines Objektivrevolvers
Echtzeit-Lock-In-Messung an Platinen mit höchster Empfindlichkeit und ohne Entschichtung (delayering, deprocessing) des Bauteils sowie ohne Ausbau von Chips bzw. Baugruppen oder „Entpacken“ des IC-Bauteils
Vollständige und präzise mikroskopische Analyse
Geometrische Auflösung bis zu 1,3 μm mit Mikroskopobjektiven
Thermische Auflösung im Mikrokelvinbereich
High-Voltage-Prüfplatz mit zwangsläufigem Berührungsschutz und Betriebszustandsmeldeleuchte
Einbindung einer High-Voltage Source Meter Unit bis 3kV
Integrierter I-V-Curve-Tracer für I-V-Charakterisierung
Mehrschichtenanalyse
Automatische Abrasterung größerer Proben über Präzisionsmechanik
Für die Elektronikprüfung können alternativ oder ergänzend zur Lock-In-Thermografie Methoden wie Scanning Acoustic Microscopy (SAM), 2D- bzw. 3D-Röntgen, Emission Microscopy (EMMI) bzw. Photon Emission Microscopy (PEM), Liquid Crystal Thermography (LCT), Thermally Induced Voltage Alteration (TIVA / SEI), Magnetic Current Imaging (MCI) / SQUID-Mikroskopie oder Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH) eingesetzt werden, abhängig von der konkreten Fragestellung.
SAM ist z. B. sehr stark bei Grenzflächen, Delaminationen und akustischen Impedanzsprüngen, erfordert aber den Einsatz einer Koppelflüssigkeit. 2D- und 3D-Röntgen eignet sich hervorragend, um Dichte-, Geometrie- und Materialkontraste zu identifizieren; Defekte ohne ausreichenden Röntgenkontrast oder mit unklarer funktionaler Relevanz sind oft schwierig zu bewerten. Beim OBIRCH-Verfahren erwärmt ein Laser die Probe lokal, und die daraus resultierenden Widerstands- bzw. Stromänderungen werden gemessen. Dazu muss das zu untersuchende Objekt häufig entkapselt werden. Die Aufheizung mit dem Laser kann zudem zur Beschädigung empfindlicher Strukturen führen.
Die Lock-In-Thermografie empfiehlt sich immer dann, wenn schnell, berührungslos und flächig geprüft werden soll und die gesuchten Fehler den Wärmefluss oder die elektrische/thermische Funktion des Bauteils beeinflussen. Ein wichtiger Vorteil der Lock-In-Thermografie liegt zudem in ihrer Zerstörungsfreiheit: Im Anschluss können problemlos weitere Untersuchungen mit anderen Messmethoden durchgeführt werden, um zusätzliche Ergebnisse zu gewinnen.
Erkennung und Zuordnung der Position von Defekten im µK-Bereich
Online-Events on demand: Elektronik- und Halbleitermodulprüfung
Infrared Lock-in Thermography for Inspection of Electronics and Integrated Circuits
Fehleranalyse und Fehlerprüfung, Qualitäts- und Prozesskontrolle sowie flexible F&E-Lösungen
Hotspot-Erkennung auf Leiterplatten, integrierten Schaltkreisen, Halbleitermaterialien und Multi-Chip-Modulen
Erkennung fehlerhafter thermischer Verbindungen von Kühlkörpern, Kurzschlüssen, Lötfehlern und Drahtbondfehlern
Ergänzender Fachvortrag Semiconductor IR-LIT Analytics – Challenges and Case Studies von Marko Hoffmann; Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG
Thermografie für die industrielle Automation
Effiziente Qualitätskontrolle durch schnelle, berührungslose Temperaturmessung während der laufenden Produktion
Flexible Systemlösungen von modularen Komponenten bis hin zu vollständig kundenspezifischen schlüsselfertigen Anlagen
Integrierte Software für die automatisierte Auswertung, Dokumentation und Auslösung von Folgeprozessen
Aufnahmen von Thermografiebildern mit verschiedenen Objektiven
100 mm Teleobjektiv
Mikroskopobjektiv 3×
Mikroskopobjektiv 1×
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Nicht selten sind Aufgabenstellungen mit besonderen Anforderungen verknüpft. Besprechen Sie gemeinsam mit unseren Spezialisten Ihre konkrete Anwendung, erhalten Sie weiterführende technische Informationen oder lernen Sie unsere Zusatzdienstleistungen kennen.
Thermografiesoftware IRBIS® 3 active
Bediensoftware mit umfangreichen Analysemöglichkeiten unter Laborbedingungen
Optionale Zusatzsoftware zur parametergesteuerten automatischen Fehlerklassifizierung
Einfache Handhabung mittels intuitivem Benutzerinterface
Darstellung verschiedener Zustände des Messobjektes in Echtzeit
Vielfältige Speichermöglichkeiten für Bilddaten und Messergebnisse sowie für Messdefinitionen (z. B. ROI, Auswertungsabläufe)
Darstellung der komplexen Intensitätsinformation mit frei wählbarem Phasenwinkel
Bildüberlagerung von Live- und Amplitudenbild
Optional: IV-Messung, Undersampling, Driftkompensation, Verlustleistungsmessung, Nutzer- und Rezeptverwaltung, verschiedene Schnittstellen zu anderen Systemen
Produktflyer
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